Flash存儲技術

在過去的二十年里，ROM和EPROM一直是嵌入式系統的存儲設備的首選。但是，今天越來越多的嵌入式系統設計者采用Flash這種可讀寫的存儲設備進行設計開發。

Flash主要分為NOR和NAND兩類。NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR Flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。

NOR的特點是芯片內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在Flash閃存中運行，而不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。但應用NAND的困難在于Flash的管理需要特殊的系統接口。

但是歷經十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。因為大多數情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。“Flash存儲器”便經常與“NOR存儲器”互換使用。但NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。

下面對二者作較為詳細的比較：