三星宣布已經在全球范圍第一家實現了量產10nm工藝DDR4 內存顆粒，也是繼2014年首個量產20nm DDR3內存顆粒后的又一壯舉。

 
  三星沒有披露新工藝的具體數字，只是模糊地稱之為10nm級別或者1xnm，而根據韓國媒體此前報道，三星用的是18nm，繼續領先SK海力士、美光等對手。

  三星表示，新工藝克服了DRAM行業中的大量技術挑戰，包括獨有的單元設計技術、四重曝光技術(QPT)、超薄介質層沉積技術等等，而且依然使用了已有的氟化氬沉浸式光刻工藝，并未啟用昂貴且不成熟的EUV極紫外光刻。

  新的1xnm DDR4內存顆粒單顆容量8Gb(1GB)，頻率高達3200MHz，相比于20nm工藝下的DDR4-2400性能可提升30％，同時同等頻率下功耗降低10-20％，PC、主流服務器、大型企業網絡、高性能計算系統中都有廣闊的前景，單條容量最大可做到128GB。

  今年晚些時候，三星還會使用新工藝生產新的移動用DRAM內存顆粒，面向智能手機和平板機領域。

  隨著新工藝的到來、產能的擴大，以及PC需求的下降、手機需求的增長減緩，內存價格將在今年出現大幅度下滑，下半年至少會降20-30％，最多可達40％。三星18nm加入戰局，必然會進一步刺激價格走低。