內存參數優化寶典

2020-10-26 22:22:21

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供稿：網友

　　去年炒得沸沸揚揚的PAT技術實際上就是種內存加速技術，Intel通過在北橋芯片中設置“Bypass Patch”(旁路)讓處理器對內存的數據訪問請求少一個時鐘周期，另外又通過構建“Optimized Patch"(優化路徑)讓內存控制器對內存芯片的顆粒和BamK選擇時間上減少一個周期。這樣一來二去，CPU在內存數據讀取上減少了兩個時鐘周期，就達到了提高PC性能的目的。

　　PAT技術的實現對內存的品質有一定的要求，而許多主板廠商通過觸類旁通的自行設計，在I865平臺上同樣也實現了原本專屬I875P的PAT功能――只是更換了稱法而已。

　　不管怎么說，優化內存的延遲參數對PC性能的提高有很大幫助是顯而易見的，所以，我們不妨對這方面的知識了解得更深入一些。

　　一、了解內存延遲參數

　　Intel平臺和AMD平臺的內存延遲參數其實都差不多，其中最常見的幾項為CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS，如圖1。這其中大多數是沿用JEDEC的內存標準而來，但tRAS這個參數卻頗有爭議，JEDEC的DDR內存相關標準中并沒有把它列為必須的性能參數，甚至有觀點認為這一參數純粹是某些主板廠商炒作出來的。

　　以上參數往往在主板的BIOS中可以調整，一般來說設置值都是越小越好，但對內存顆粒的品質也相對越來越高。由于不明就里，許多用戶都不敢貿然進行調整；為釋疑解惑，下面我們就對各項參數逐一加以解釋。

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　　1.CAS(CL)：

　　內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間。這個參數很重要，內存條上一般都有這個參數標記。在BIOS設置中DDR內存的CAS參數選項通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”幾種選擇，SDRAM則只有“2”、“3”兩個選項。較低的CAS周期能減少內存的潛伏周期以提高內存的工作效率。因此只要能夠穩定運行操作系統，我們應當盡量把CAS參數調低。

　　2.tRCD(RAS To CAS Delay)：

　　內存行地址控制器到列地址控制器的延遲時間，參數選項有2和3這兩個選擇，同樣是越小越好。

　　3.tRP(RAS Precharge Time)：

　　內存行地址控制器預充電時間，參數選項有2和3這兩個選擇，預充電參數越小則內存讀寫速度就越快。

　　4.tRAS(RAS Active Time)：

　　內存行有效至預充電的最短周期，一般我們可選的參數選項有5，6或者7這3個，但是在一些nForce 2 主板上的選擇范圍卻很大，最高可到 15，最低達到 1。調整這個參數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5－11之間。
　　二、了解內存交錯技術

　　內存交錯技術(Bank Interleave)也是用來提高內存性能的一種技術，它使內存各個面的刷新時鐘信號與讀寫時鐘信號能夠交錯出現，實現CPU在刷新一個內存面的同時對另一個內存面進行讀寫，這樣就不必花費專門的時間來對各個內存面進行刷新。在CPU即將訪問的一串內存地址分別位于不同內存面的情況下，內存面交錯使CPU能夠實現在向后一個內存面發送地址的同時從前一個內存面接收數據，從而產生一種流水線操作的效果，更大限度地發揮內存的理論帶寬。因此，有人甚至認為啟用內存交錯對于系統性能的提高比將內存CAS延遲時間從3改成2還要大。

　　實際Intel和VIA都支持內存交錯技術，主要模式有2路交錯(2-Bank )和4路交錯(4-Bank)兩種；不過出于對系統的穩定性考慮，很多支持該技術的主板在默認情況下都關閉了內存交錯技術，或最多開啟2路內存交錯模式――雖然4路交錯可以帶來更大的性能提升。下表即為國外一位網友在EP-MVP3G2（VIA MVP3平臺）主板上使用K6-2 500MHz所作的測試結果對比：

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　　通過升級BIOS，VIA 694X以上芯片組都有機會開啟內存交錯設置項；即便BIOS不支持，也可以通過WPCREdit等專用軟件來修改北橋芯片的寄存器，從而打開內存交錯模式。直接支持內存交錯設置的主板以KT400/400A、P4X400居多。以威盛的P4PB 400主板為例，進入BIOS后在“Frequency/Voltage Control”中找到“Bank Interleave”一項，就有“Disable”、“2 Bank”、“4 Bank”等三種模式可選。

　　三、掌握內存異步調節

　　在內存同步工作模式下，內存的運行速度與CPU外頻相同。內存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令內存工作在高出或低于系統總線速度33MHz的情況下(也有采用3:4、4:5的倍頻模式的)。

　　有了這一招我們不僅可以讓“老”內存發揮余熱，更重要的是可以充分挖掘內存的潛力及獲得更寬泛的超頻空間。Intel的810～875系列芯片組和威盛的693以后的產品，都支持內存異步。

　　以典型的VIA KT333主板為例，進入BIOS后找到“DRAM Clock(內存時鐘頻率)”選項，即有“Host Clock(總線頻率和內存工作頻率同步)、Hclk-33MHz(總線頻率減33MHz)、Hclk 33MHz（總線頻率 33MHz）”等三種模式可選。

　　四、用實例說話

　　上面介紹了那么多有關于內存優化的知識，大家肯定最想看到的還是實際的例證。OK，筆者做了一個簡單的測試。測試平臺：Athlon XP1800 (未超頻)、Apacer DDR333 512MB、GeForce4 Ti4200、VIA KT333主板，測試游戲為經典的Quake3 Arena。測試結果如下：

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　　從以上的測試數據對比可以看到，優化內存設置對FPS游戲幀速度的提高不無小補，平均幅度達到4％－5％。

　　五、觀點：

　　相較其他內存優化技術，內存異步調節的穩定性要好得多，建議大家多根據所用內存的規格充分應用之。當內存參數設定過高或超頻導致系統不穩定時，適當地增加內存電壓可以提高系統穩定性（需主板支持），增加內存電壓幅度最好不要超過0.3V。

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