帶你走捷徑，迅速提升DDR2內(nèi)存的性能

2020-10-26 22:20:53

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供稿：網(wǎng)友

　　隨著AM2處理器的逐漸熱門和Conroe系列處理器的強(qiáng)勢發(fā)布，DDR2的發(fā)展進(jìn)入黃金時期，DDR2 800氣勢很足，似乎要在2006年成為市場的主流。不少用戶不得不反問：“我的內(nèi)存夠快了嗎？還能夠再快嗎：”

　　如何繼續(xù)提升DDR2內(nèi)存的性能？提升頻率和優(yōu)化參數(shù)是兩個主要的辦法，目前在52硬件論壇發(fā)燒友手中津津樂道的鎂光D9顆粒DDR2內(nèi)存在特定條件設(shè)置可以運(yùn)行在苛刻的DDR2 1066 3-4-4-12的設(shè)定下，非常強(qiáng)悍。但是這些極品內(nèi)存高性能的同時也大部分代表了高價格，普通玩家怎么能方便提升手中早期DDR2內(nèi)存的性能？

　　筆者先賣個關(guān)子，首先給大家介紹介紹NVIDIA在06年5月中旬發(fā)布的EPP技術(shù)。NVIDIA公布的EPP標(biāo)準(zhǔn)（Enhanced Performance Profiles）是傳統(tǒng)內(nèi)存SPD的擴(kuò)展，EPP標(biāo)準(zhǔn)允許內(nèi)存廠商在SPD當(dāng)中不使用部分集成額外的模塊性能數(shù)據(jù)，讓兼容EPP標(biāo)準(zhǔn)的主板讀取和利用到這些額外的性能數(shù)據(jù)。盡管EPP內(nèi)存可以在任何主板上使用，但是只有支持EPP內(nèi)存BIOS的主板，比如nVIDIA nForce 590SLi才能充分發(fā)揮EPP內(nèi)存的性能。最終用戶可以通過nVIDIA nTune軟件測試打開/關(guān)閉EPP的性能差別，以及讀取EPP設(shè)置參數(shù)。

　　簡單來說，具有EPP功能的內(nèi)存在搭配nForce 590 SLI平臺，主板可以自動偵測最佳化內(nèi)存的設(shè)定條件，這樣即使對超頻不太熟悉的用戶也可以最大限度的發(fā)揮內(nèi)存的性能。那么EPP跟內(nèi)存提升DDR2內(nèi)存性能有什么關(guān)系？

　　威剛科技（A-DATA）近日在期Extreme Edition系列內(nèi)存中的DDR2 800+及DDR2 1000+加入了EPP技術(shù)，EPP技術(shù)的運(yùn)用為內(nèi)存超頻帶來了更多的內(nèi)容。我們在最新everest中可以看到內(nèi)存儲存著兩組EPP信息。

（提升內(nèi)存工作電壓是超頻強(qiáng)心針）

　　我們集中精力把目光放在內(nèi)存電壓上面，當(dāng)運(yùn)行在DDR2 800 4-4-4-12的時候，EPP電壓已經(jīng)從默認(rèn)的1.8V提升到2.0V；當(dāng)然High Frequency的DDR2 1000 5-5-5-15設(shè)置的電壓也提升到2.2V。EPP內(nèi)存經(jīng)過嚴(yán)格測試，從EPP的參數(shù)我們看到，無論是提升頻率還是優(yōu)化參數(shù)，提升電壓是超頻內(nèi)存的最好辦法。為了確保內(nèi)存在2.2V電壓下穩(wěn)定工作，威剛也加上了內(nèi)存散熱片。

　　DDR2內(nèi)存默認(rèn)電壓1.8V比DDR400的2.5V，低上40％，但是頻率卻攀升了100％，DDR2顯然擁有更強(qiáng)的超頻潛力，從目前全球各大論壇的內(nèi)存超頻情況看來，DDR2內(nèi)存只要做好一些簡單的散熱措施（例如貼上內(nèi)存散熱片），2.2V工作電壓可以獲得滿意而安全的超頻性能。一對可以運(yùn)行在800Mhz的DDR2內(nèi)存足夠目前AM2和Conroe使用。

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