武林網訊 封裝形式
　　封裝形式也就是內存芯片的引腳形式，目前主流的封裝形式主要有以下幾種：
　　BLP:英文全稱為Bottom Leaded Plastic（底部引出塑封技術）是新一代封裝技術中的佼佼者，其芯片面積與填充裝面積之比大于1：1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封裝規范。不僅高度和面積極小，而且電氣特性得到了進一步的提高，制造成本也不高，廣泛用于SDRAMRDRAMDDR等新一代內存制 造上。
　　TinyBGA:英文全稱為Tiny Ball Grid Array。其芯片面積與封裝面積之比不小于1：1.14，是KingMax的專利，屬于BGA封裝技術的一個分支。
　　TSOP II:英文全稱為Thin Small Outline Package（薄型小尺寸封裝），目前廣泛應用于SDRAM內存的制造上，但是隨著時間的推移和技術的進步，TSOP II已越來越不適用于高頻、高速的新一代內存。

　 　DRAM封裝技術從最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。從現在主流SDRAM的模組來看，除了勝創科技（KingMAX）首創的TinyBGA 技術和樵風科技首創的BLP封裝模式外，絕大多數還是采用TSOP的封裝技術。采用TinyBGA封裝的內存大小是TSOP封裝內存的三分之一，也就是 說，同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍。此外，TinyBGA封裝內存不但體積小，同時也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅 有0.36mm，大大提高了內存芯片在長時間運行后的可靠性，同時其線路阻抗大大減小，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。

　　隨著DDR、 RDRAM的陸續推出，內存頻率提高到了一個更高的水平，TSOP封裝技術漸漸有些力不從心了，難以滿足DRAM設計上的要求。從Intel力推的 Rambus來看，采用了新一代的μBGA封裝形式，相信未來DDR等其他高速DRAM的封裝也會采取相同或不同的BGA封裝方式。而SDRAM架構 （PC133、DDR）的低成本優勢及廣泛的應用領域會使其繼續占據一定的市場份額。相信未來的DRAM市場將會是多種結構并存的局面。

　　數據帶寬
　 　所謂數據帶寬就是內存的數據傳輸速度，它是衡量內存性能的重要標準。通常情況下，PC133的SDRAM在額定頻率（100MHZ）下工作時，其峰值傳 輸速度可以達到800MB/秒。工作在133MHZ下的PC133內存，其峰值傳輸速度已經達到了1.06GB/秒，這一速度比PC100內存提高了 200MB/S，在實際使用中，其性能的提高是很明顯的。對于DDR內存而言，由于在同一個時鐘的上升和下降沿都能傳輸數據，所以工作在133MHZ時， 它的實際傳輸速度可以達到2.1 GB/S的水準，也就是普通SDRAM內存工作在266MHZ下所擁有的帶寬。此外，雙通道的PC800的Rambus DRAM內存其數據傳輸帶寬也達到了3.2GB/S速度。