武林網訊    內存（RAS）和上。當前的標準是SDRAM（同步DRAM的縮寫），顧名思義，它是同步于系統時鐘頻率的。SDRAM內存訪問采用突發（burst）模式，它和原理是，SDRAM在現有的標準制造的DRAM，大都可以「篩選」出時鐘頻率達到133MHz的PC133顆粒，可將尖峰數據傳輸率再次提高至1.06GB／sec，只要CPU及芯片組能配合，就可提高整體系統性能。此外，就DDR而言，由于其在時鐘上升和下降沿都能傳輸數據，所以在相同133MHz的時鐘頻率下，其尖峰數據傳輸將可大幅提高兩倍，達到2.1GB／sec的水準，其性能甚至比現階段Rambus所能達到的1.6GB／sec更高。

      傳輸模式：傳統SDRAM采用并列數據傳輸方式，Rambus則采取了比較特別的串行傳輸方式。在串行的傳輸方式之下，資料信號都是一進一出，可以把數據帶寬降為16bit，而且可大幅提高工作時鐘頻率（400MHz），但這也形成了模組在數據傳輸設計上的限制。也就是說，在串接的模式下，如果有其中一個模組損壞、或是形成斷路，便會使整個系統無法正常開機。因此，對采用Rambus內存模組的主機板而言，便必須將三組內存擴充插槽完全插滿，如果Rambus模組不足的話，只有安裝不含RDRAM顆粒的中繼模組（ContinuityRIMMModule；C-RIMM），純粹用來提供信號的串接工作，讓數據的傳輸暢通。模組及PCB的設計：由于Rambus的工作頻率高達400MHz，所以不管是電路設計、線路布局、顆粒封裝及記憶模組的設計等，都和以往SDRAM大為不同。以模組設計而言，RDRAM所構成的記憶模組稱之為RIMM（RambusInMemoryModule），目前的設計可采取4、6、8、12與16顆等不同數目的RDRAM顆粒來組成，雖然引腳數提高到了184只，但整個模組的長度卻與原有DIMM相當。另外，在設計上，Rambus的每一個傳輸信道所能承載的芯片顆粒數目有限（最多32顆），從而造成RDRAM內存模組容量將有所限制。也就是說，如果已經安裝了一只含16顆RDARM顆粒的RIMM模組時，若想要再擴充內存，最多只能再安裝具有16顆RDARM的模組。另外，由于RDARM在高頻下工作將產生高溫，所以RIMM模組在設計時必須加上一層散熱片，也增加了RIMM模組的成本。

            顆粒的封裝：DRAM封裝技術從最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。從現在主流SDRAM的模組來看，除了勝創科技首創的TinyBGA技術和樵風科技首創的BLP封裝模式外，絕大多數還是采用TSOP的封裝技術。隨著DDR、RDRAM的陸續推出，將內存頻率提高到一個更高的水平上，TSOP封裝技術漸漸有些力不從心了，難以滿足DRAM設計上的要求。從Intel力推的RDRAM來看，采用了新一代的μBGA封裝形式，相信未來DDR等其他高速DRAM的封裝也會采取相同或不同的BGA封裝方式。盡管RDRAM在時鐘頻率上有了突破性的進展，有效地提高了整個系統性能，但畢竟在實際使用上，其規格與現階段主流的SDRAM有很大的差異，不僅不兼容于現有系統芯片組而成了Intel一家獨攬的局面。甚至在DRAM模組的設計上，不僅使用了最新一代的BGA封裝方式，甚至在電路板的設計上，都采取用了8層板的嚴格標準，更不用說在測試設備上的龐大投資。使得大多數的DRAM及模組廠商不敢貿然跟進。
再說，由于Rambus是個專利標準，想生產RDRAM的廠商必須先取得Rambus公司的認證，并支付高額的專利費用。不僅加重了各DRAM廠商的成本負擔，而且它們擔心在制定未來新一代的內存標準時會失去原來掌握的規格控制能力。
由于RIMM模組的顆粒最多只能為32顆，限制了Rambus應用，只能用在入門級服務器和高級PC上?；蛟S就PC133而言，在性能上無法和Rambus抗衡，但是一旦整合了DDR技術后，其數據帶寬可達到2.1GB／sec，不僅領先Rambus所能達到的1.6GB／sec標準，而且由于其開放的標準及在兼容性上遠比Rambus高的原故，估計將會對Rambus造成非常大的殺傷力。更何況臺灣在威盛與AMD等聯盟的強力支持下，Intel是否能再象往日一般地呼風喚雨，也成了未知數。至少，在低價PC及網絡PC方面，Rambus的市場將會很小。

結論：盡管Intel采取了種種不同的策略布局及對策，要想挽回Rambus的氣勢，但畢竟像Rambus這種具有突破性規格的產品，在先天上便存在有著諸多較難克服的問題?；蛟SIntel可以藉由更改主機板的RIMM插槽方式、或是提出SDRAM與RDRAM共同存在的過渡性方案（S-RIMM、RIMMRiser）等方式來解決技術面上的問題。但一旦涉及規模量產成本的控制問題時，便不是Intel所能一家獨攬的，更何況在網絡趨勢下的計算機應用將愈來愈趨于低價化，市場需求面是否對Rambus有興趣，則仍有待考驗。 在供給方面，從NEC獨創的VCMSDRAM規格（VirtualChannelMemory）、以及Samsung等DRAM大廠對Rambus支持態度已趨保守的情況來看，再加上相關封裝及測試等設備上的投資不足，估計年底之前，Rambus內存模組仍將缺乏與PC133甚至DDR的價格競爭力。就長遠的眼光來看，Rambus架構或許可以成為主流，但應不再會是主導市場的絕對主流，而SDRAM架構（PC133、DDR）在低成本的優勢，以及廣泛的應用領域，應該會有非常不錯的表現。相信未來的DRAM市場，將會是多種結構并存的局面。

         具最新消息，可望成為下一世代內存主力的RambusDRAM因芯片組延遲推出，而氣勢稍挫的情況之下，由全球多家半導體與電腦大廠針對DDRSDRAM的標準化，而共同組成的AMII（AdvancedMemoryInternationalInc、）陣營，則決定積極促進比PC200、PC266速度提高10倍以上的PC1600與PC2100DDRSDRAM規格的標準化，此舉使得RambusDRAM與DDRSDRAM的內存主導權之爭，邁入新的局面。全球第二大微處理器制造商AMD，決定其Athlon處理器將采用PC266規格的DDRSDRAM，而且決定在今年年中之前，開發支持DDRSDRAM的芯片組，這使DDRSDRAM陣營深受鼓舞。全球內存業者極有可能將未來投資的重心，由RambusDRAM轉向DDRSDRAM。
綜上所述，今年DDRSDRAM的發展勢頭要超過RAMBUS。而且DDRSDRAM的生產成本只有SDRAM的1.3倍，在生產成本上更具優勢。未來除了DDR和RAMBUS外還有其他幾種有希望的內存產品，下面介紹其中的幾種：SLDRAM(SyncLinkDRAM,同步鏈接內存)：SLDRAM也許是在速度上最接近RDRAM的競爭者。SLDRAM是一種增強和擴展的SDRAM架構，它將當前的4體（Bank）結構擴展到16體，并增加了新接口和控制邏輯電路。

          SLDRAM像SDRAM一樣使用每個脈沖沿傳輸數據。
VirtualChannelDRAM：VirtualChannel“虛擬信道”是加裝在內存單元與主控芯片上的內存控制部分之間，相當于緩存的一類寄存器。使用VC技術后，當外部對內存進行讀寫操作時，將不再直接對內存芯片中的各個單元進行讀寫操作，而改由VC代理。VC本身所具有的緩存效果也不容小覷，當內存芯片容量為目前最常見的64Mbit時，VC與內存單元之間的帶寬已達1024bit。即便不考慮前/后臺并列處理所帶來的速度提升，光是“先把數據從內存單元中移動到高速的VC中后再由外部進行讀寫”這一基本構造本身就很適于提高內存的整體速度。每塊內存芯片中都可以搭載復數的VC，64Mbit的產品中VC總數為16個。不但每個VC均可以分別對應不同的內存主控設備（MemoryMaster，此處指CPU、南橋芯片、各種擴展卡等等），而且在必要時，還可以把多個VC信道捆綁在一起以對應某個占用帶寬特別大的內存主控設備。因此，在多任務同時執行的情況下，VC-SDRAM也能保證持續地進行高效率的數據傳輸。VC-SDRAM還有一個特點，就是保持了與傳統型SDRAM的管腳兼容，廠家不需要重新進行主板布線設計就能夠使主板支持它。不過由于它與傳統型SDRAM控制方式不同，因此還需要得到控制芯片組的支持方能使用，目前已支持VC-SDRAM的芯片組有VIA的ApolloPro133系列、ApolloMVP4和SiS的SiS630等。