無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施行業(yè)的首個(gè)LDMOS晶體管，滿足在3.8GHz頻段運(yùn)行的WiMAX的嚴(yán)格要求

    近期，憑借第七代高壓(HV7)射頻LDMOS技術(shù)，飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE:FSL，F(xiàn)SL.B)成功取得了在3.5GHz頻段運(yùn)行的符合WiMAX基站所需的射頻功率放大器性能。

    這也是業(yè)內(nèi)射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)首次在這一領(lǐng)域獲得重大突破。

    飛思卡爾已經(jīng)提供了一系列12VGaAs假晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)產(chǎn)品，并計(jì)劃繼續(xù)開(kāi)發(fā)高壓GaaspHEMT技術(shù)，推出更高功率的GaAs器件，在WiMAX系統(tǒng)中使用，另外也適用于2GHz和6GHz頻段之間的其它應(yīng)用。

    通過(guò)提供采用射頻LDMOS和GaAsPHEMT技術(shù)的功率晶體管，飛思卡爾的射頻解決方案能夠真正支持任何高功率無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，其中LDMOS的性能高達(dá)3.8GHz，而GaAsPHEMT的性能則高達(dá)6GHz。

    “在HV7射頻LDMOS技術(shù)領(lǐng)域取得的最新進(jìn)展，使飛思卡爾在未來(lái)的WiMAX和其它高頻率市場(chǎng)服務(wù)方面處于非常有利的位置，”飛思卡爾副總裁兼射頻部門(mén)總經(jīng)理GavinP.Woods說(shuō)，“我們的高壓GaAs技術(shù)開(kāi)發(fā)將繼續(xù)為目前市場(chǎng)上所有具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品提供高效解決方案，并將基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品延伸到6GHz產(chǎn)品領(lǐng)域。”

    WiMAX：要求最為嚴(yán)格

    WiMAX系統(tǒng)采用64積分調(diào)幅(QAM)正交頻分復(fù)用(OFDM)信號(hào)。QAMOFDM信號(hào)處理向功率放大器的設(shè)計(jì)人員提出了獨(dú)特挑戰(zhàn)。回退中的射頻功率晶體管線性是至關(guān)重要的，不僅體現(xiàn)在具有屏蔽要求的頻譜形式中，也體現(xiàn)在具有EVM(誤差向量幅度)要求的積分形式中。在本消息發(fā)布之前，硅LDMOS技術(shù)在3.5GHz頻段上不能提供令人滿足的射頻功率性能表現(xiàn)。這就意味著合成半導(dǎo)體設(shè)備(如GaAsPHEMT)是設(shè)計(jì)者的唯一選擇。現(xiàn)在，飛思卡爾的高級(jí)3.5 GHz HV7 LDMOS設(shè)備提供了WiMAX系統(tǒng)所需的高效、線性和EVM性能，為設(shè)計(jì)者提供了在合成半導(dǎo)體和硅LDMOS之間進(jìn)行選擇的機(jī)會(huì)。

    HV7射頻LDMOS的供貨信息

    首批3.5GHzLDMOS設(shè)備的樣品現(xiàn)已問(wèn)世。MRF7S38075H是一個(gè)75瓦特的P1dB射頻晶體管，平均功率為42dBm(16W)，滿足在3.5GHz頻段運(yùn)行的WiMAX設(shè)備的性能要求。此外，40W和10W的P1dB 3.5 GHz設(shè)備也有望于2006年2月面市。這三款先進(jìn)的LDMOS設(shè)備擴(kuò)大了飛思卡爾現(xiàn)有的射頻功率晶體管系列的產(chǎn)品陣容，面向在2.3、2.5和3.5 GHz頻段運(yùn)行的新興WiMAX/WiBRO設(shè)備。

    高壓GaAs的供貨信息

    高級(jí)HV7LDMOS設(shè)備完善了12VGaAsPHEMT設(shè)備的功能，使其能夠適應(yīng)3.5GHz的WiMAX應(yīng)用，目前正在開(kāi)發(fā)的新型高壓GaAs設(shè)備將可在高達(dá)6GHz的頻段運(yùn)行。這就使它們成為在該頻率范圍內(nèi)運(yùn)行的WiMAX和其它無(wú)線應(yīng)用的理想之選。當(dāng)運(yùn)行電壓達(dá)到20 V以上，GaAs設(shè)備能夠達(dá)到高達(dá)100 W的輸出功率，同時(shí)還能滿足數(shù)字調(diào)制系統(tǒng)的嚴(yán)格要求。

    飛思卡爾的第一款高壓GaAsPHEMT的樣品有望于2006年第三季度面市。